3차원 반도체 패키징 기술 TSV(Through silicon via)의 깊이, 폭, 지름 형상을 스타일러스로 3차원 측정한다. 광을 이용한 측정보다 측정값 신뢰성이 높다.
접촉식 스타일러스와 레이저 광을 이용한다.
직경(지름), 단차(깊이), 진원도, 동축도, 조도(거칠기) 등
측정 직경 크기 : 최소 Φ 10 ~ 최대 Φ 300 μm
300x300x300 μm
310x310mm t=45㎜
10nm
1pN 이하
0.04 μm
0.001 μm
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